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江西誉鸿锦材料科技有限公司
江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产,拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验,掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。公司的主要产品有高性能肖特基二极管势垒(SBD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、射频/功率放大器(RF PA)、深紫外发光二极管(UVC-LED)等,这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。江西誉鸿锦材料科技有限公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件领域的“中国智造”!

成功案例
专利产品
20年开发经验
研发团队
秉承“以精立业、以质取胜”的质量方针
具有完善的售前、售中、售后的服务

团队优势
公司拥有第三代半导体材料(GaN)、芯片及器件研发三十余年经验的团队,其中不仅有10余位博士成员,还包括世界上最早从事第三代半导体材料研究、外延生长、器件设计研发产业化等各方面专家。

研发优势
具备全品类,各类衬底上GaN材料生长和流片能力,目前产能已达到1.5万片/月,二期建成产能达到25万片/月,并在性能和成本上占优势;

设备优势
日本大阳日酸株式会社制造的MOCVD设备可以生长高性能氮化镓材料; 行业顶级设备数量。

销售优势
公司实现SBD、HEMT、UVC-LED规模化量产,已经与国内大型通讯设备生产商进行联合研发
誉鸿锦核心团队优势
江西誉鸿锦团队成员不仅有10余位博士成员,还拥有诺贝尔奖获得者天野浩和中村修二提供强有力的技术支持,江西誉鸿锦技术团队成员十余年来专注于GaN电子器件,如射频/功率肖特基二极管(SBD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)的研发,拥有丰富的工艺经验,掌握了氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,达到世界先进水平。同时,在UVC- LED和GaN 蓝绿激光器的研发和生产上,公司引进日本大阳日酸株式会社MOCVD设备,由世界一流的专家提供技术支持。
誉鸿锦产线生产设备
企业拥有外延、芯片制造、模组封测相关进口设备600余台套,如:MOCVD、NIKON EX14、Suss 光刻机、干法蚀刻机、PECVD、研磨机等设备

设备展示-10

光刻机(芯片)

镀膜(芯片)

ICP(芯片)

RTP&PECVD(芯片)
合作客户
值得信赖的合作伙伴,和我们的合作一定能让您轻松愉快。








